Мобильная версия

Доступно журналов:

3 288

Доступно статей:

3 891 637

 

Скрыть метаданые

Автор L Magaud
Автор J P Julien
Автор F Cyrot-Lackmann
Дата выпуска 1992-06-15
dc.description Ab initio calculations of the electronic structure of yttrium disilicide have been performed using the LMTO-ASA method (linear muffin-tin orbitals in the atomic sphere approximation). Two different cases have been investigated: stoichiometric YSi<sub>2</sub> and silicon-deficient YSi<sub>1.7</sub> where one silicon atom out of every six is missing. The authors show that the main effect of these vacancies is to shift the Fermi level towards a region of much lower density, thus stabilizing the structure.
Формат application.pdf
Издатель Institute of Physics Publishing
Название The effect of silicon vacancies on the electron structure of yttrium disilicide
Тип paper
DOI 10.1088/0953-8984/4/24/009
Electronic ISSN 1361-648X
Print ISSN 0953-8984
Журнал Journal of Physics: Condensed Matter
Том 4
Первая страница 5399
Последняя страница 5404
Аффилиация L Magaud; Lab. d'Etudes des Proprietes Electron. des Solides, CNRS, Grenoble, France
Аффилиация J P Julien; Lab. d'Etudes des Proprietes Electron. des Solides, CNRS, Grenoble, France
Аффилиация F Cyrot-Lackmann; Lab. d'Etudes des Proprietes Electron. des Solides, CNRS, Grenoble, France
Выпуск 24

Скрыть метаданые