Мобильная версия

Доступно журналов:

3 288

Доступно статей:

3 891 637

 

Скрыть метаданые

Автор Chen Zhen
Автор Lu Da-Cheng
Автор Wang Xiao-Hui
Автор Liu Xiang-Lin
Автор Han Pei-De
Автор Yuan Hai-Rong
Автор Wang Du
Автор Wang Zhan-Guo
Автор He Shi-Tang
Автор Li Hong-Lang
Автор Yan Li
Автор Chen Xiao-Yang
Дата выпуска 2001-10-01
dc.description High-quality and high-resistivity GaN films were grown on (0001) sapphire face by metal-organic vapour phase epitaxy. To measure the surface acoustic wave properties accurately, we deposited metallized interdigital transducers on the GaN surface. The acoustic surface wave velocity and electromechanical coupling coefficient were measured, respectively, to be 5667 m/s and 1.9% by the pulse method.
Формат application.pdf
Издатель Institute of Physics Publishing
Название Surface Acoustic Wave Velocity and Electromechanical Coupling Coefficient of GaN Grown on (0001) Sapphire by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy
Тип paper
DOI 10.1088/0256-307X/18/10/338
Electronic ISSN 1741-3540
Print ISSN 0256-307X
Журнал Chinese Physics Letters
Том 18
Первая страница 1418
Последняя страница 1419
Выпуск 10

Скрыть метаданые