An experimental study of Ti-pSi MIS type Schottky barriers
P L Hanselaer; W H Laflere; R L van Meirhaeghe; F Cardon; P L Hanselaer; Lab. voor Kristallografie en Studie van de Vaste Stof, Rijksuniv. Gent, Gent, Belgium; W H Laflere; Lab. voor Kristallografie en Studie van de Vaste Stof, Rijksuniv. Gent, Gent, Belgium; R L van Meirhaeghe; Lab. voor Kristallografie en Studie van de Vaste Stof, Rijksuniv. Gent, Gent, Belgium; F Cardon; Lab. voor Kristallografie en Studie van de Vaste Stof, Rijksuniv. Gent, Gent, Belgium
Журнал:
Journal of Physics D: Applied Physics
Дата:
1982-02-14
Аннотация:
Reports on dark C-V and J-V measurements at Ti-pSi Schottky barriers. It has shown that an anneal cycle leads to barrier heights of about 0.9 V, while for non-annealed samples only 0.5 V was found. This effect can be attributed to the presence of interface states.
211.8Кб