| Автор | P L Hanselaer |
| Автор | W H Laflere |
| Автор | R L van Meirhaeghe |
| Автор | F Cardon |
| Дата выпуска | 1982-02-14 |
| dc.description | Reports on dark C-V and J-V measurements at Ti-pSi Schottky barriers. It has shown that an anneal cycle leads to barrier heights of about 0.9 V, while for non-annealed samples only 0.5 V was found. This effect can be attributed to the presence of interface states. |
| Формат | application.pdf |
| Издатель | Institute of Physics Publishing |
| Название | An experimental study of Ti-pSi MIS type Schottky barriers |
| Тип | lett |
| DOI | 10.1088/0022-3727/15/2/002 |
| Electronic ISSN | 1361-6463 |
| Print ISSN | 0022-3727 |
| Журнал | Journal of Physics D: Applied Physics |
| Том | 15 |
| Первая страница | L7 |
| Последняя страница | L10 |
| Аффилиация | P L Hanselaer; Lab. voor Kristallografie en Studie van de Vaste Stof, Rijksuniv. Gent, Gent, Belgium |
| Аффилиация | W H Laflere; Lab. voor Kristallografie en Studie van de Vaste Stof, Rijksuniv. Gent, Gent, Belgium |
| Аффилиация | R L van Meirhaeghe; Lab. voor Kristallografie en Studie van de Vaste Stof, Rijksuniv. Gent, Gent, Belgium |
| Аффилиация | F Cardon; Lab. voor Kristallografie en Studie van de Vaste Stof, Rijksuniv. Gent, Gent, Belgium |
| Выпуск | 2 |
