Мобильная версия

Доступно журналов:

3 288

Доступно статей:

3 891 637

 

Скрыть метаданые

Автор U Hohenester
Автор P Supancic
Автор P Kocevar
Автор X Q Zhou
Автор U Lemmer
Автор G C Cho
Автор W Kutt
Автор H Kurz
Дата выпуска 1992-03-01
dc.description Subpicosecond luminescence and transmission spectroscopy for a broad range of doping and optical excitation densities are used for a systematic study of thermalization and energy relaxation of highly photoexcited electrons and holes in bulk intrinsic, n- and p-doped GaAs and InP at room temperature. The measurements are complemented by an ensemble-Monte-Carlo analysis, including non-equilibrium phonons and plasmons as well as electron degeneracy.
Формат application.pdf
Издатель Institute of Physics Publishing
Название Doping dependence of the ultrafast thermalization and relaxation of highly photoexcited carriers in bulk polar semiconductors
Тип paper
DOI 10.1088/0268-1242/7/3B/043
Electronic ISSN 1361-6641
Print ISSN 0268-1242
Журнал Semiconductor Science and Technology
Том 7
Первая страница B176
Последняя страница B179
Аффилиация U Hohenester; Inst. fur Theor. Phys., Graz Univ., Austria
Аффилиация P Supancic; Inst. fur Theor. Phys., Graz Univ., Austria
Аффилиация P Kocevar; Inst. fur Theor. Phys., Graz Univ., Austria
Аффилиация X Q Zhou; Inst. fur Theor. Phys., Graz Univ., Austria
Аффилиация U Lemmer; Inst. fur Theor. Phys., Graz Univ., Austria
Аффилиация G C Cho; Inst. fur Theor. Phys., Graz Univ., Austria
Аффилиация W Kutt; Inst. fur Theor. Phys., Graz Univ., Austria
Аффилиация H Kurz; Inst. fur Theor. Phys., Graz Univ., Austria
Выпуск 3B

Скрыть метаданые