Мобильная версия

Доступно журналов:

3 288

Доступно статей:

3 891 637

 

Скрыть метаданые

Автор S Mantl
Автор S J Rothman
Автор L J Nowicki
Автор J L Lerner
Дата выпуска 1983-07-01
dc.description The diffusion of <sup>68</sup>Ge in single crystals of high-purity (over 99.99% pure) Ni has been measured using the sectioning technique. The plot of log D versus 1/T is straight from 939 to 1675K, over 6<sup>1</sup>/<sub>2</sub> orders of magnitude in D, with parameters D<sub>0</sub>=2.10+or-0.47 cm<sup>2</sup> s<sup>-1</sup>, Q=2.74+or-0.03 eV (264+or-3 kJ mol<sup>-1</sup>). The data suggest a low Ge-vacancy binding enthalpy for Ni.
Формат application.pdf
Издатель Institute of Physics Publishing
Название The tracer diffusion of Ge in Ni single crystals
Тип paper
DOI 10.1088/0305-4608/13/7/014
Print ISSN 0305-4608
Журнал Journal of Physics F: Metal Physics
Том 13
Первая страница 1441
Последняя страница 1448
Аффилиация S Mantl; Argonne Nat. Lab., Argonne, IL, USA
Аффилиация S J Rothman; Argonne Nat. Lab., Argonne, IL, USA
Аффилиация L J Nowicki; Argonne Nat. Lab., Argonne, IL, USA
Аффилиация J L Lerner; Argonne Nat. Lab., Argonne, IL, USA
Выпуск 7

Скрыть метаданые