Мобильная версия

Доступно журналов:

3 288

Доступно статей:

3 891 637

 

Скрыть метаданые

Автор V I Dediu
Автор Q D Jiang
Автор F C Matacotta
Автор P Scardi
Автор M Lazzarino
Автор G Nieva
Автор L Civale
Дата выпуска 1995-03-01
dc.description Channel-spark pulsed electron beam deposition (CS), a new deposition method based on a simple and inexpensive system, has been used for preparation of high-quality GdBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7-x</sub>, Gd<sub>1-x</sub>Eu<sub>x</sub>Ba<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7-x</sub> and YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7-x</sub> thin films epitaxially grown on NdGaO<sub>3</sub> and SrTiO<sub>3</sub> substrates. Typical critical temperatures for zero DC resistance lie in the intervals 87-89 K for Y-based films and 91.0-92.6 K for Gd- and GdEu-based ones. The transition widths for the best films are less than 0.5 K. The critical current densities reach the values of 3*10<sup>6</sup> A cm<sup>-2</sup> at 77 K, zero field.
Формат application.pdf
Издатель Institute of Physics Publishing
Название Deposition of MBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7-x</sub> thin films by channel-spark method
Тип paper
DOI 10.1088/0953-2048/8/3/005
Electronic ISSN 1361-6668
Print ISSN 0953-2048
Журнал Superconductor Science and Technology
Том 8
Первая страница 160
Последняя страница 164
Аффилиация V I Dediu; HTS Lab., ICTP, Trieste, Italy
Аффилиация Q D Jiang; HTS Lab., ICTP, Trieste, Italy
Аффилиация F C Matacotta; HTS Lab., ICTP, Trieste, Italy
Аффилиация P Scardi; HTS Lab., ICTP, Trieste, Italy
Аффилиация M Lazzarino; HTS Lab., ICTP, Trieste, Italy
Аффилиация G Nieva; HTS Lab., ICTP, Trieste, Italy
Аффилиация L Civale; HTS Lab., ICTP, Trieste, Italy
Выпуск 3

Скрыть метаданые