Hopping Process in Majority Carrier Capture of Deep Centers in Semiconductors
J M López-Villegas; J Esteve; H Altelarrea; P Roura; A Pérez; J R Morante; J M López-Villegas; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain; J Esteve; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain; H Altelarrea; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain; P Roura; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain; A Pérez; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain; J R Morante; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain
Журнал:
Physica Scripta
Дата:
1987-05-01
Аннотация:
This work is devoted to show that in the case of small concentration of deep traps in relation with that of the shallow levels, the non-exponentiality of the capture transient, obtained from the capacitance measurements, could be justified, in some cases, by assuming the existence of a hopping process between the deep trap and another shallower level.
327.7Кб