| Автор | J M López-Villegas |
| Автор | J Esteve |
| Автор | H Altelarrea |
| Автор | P Roura |
| Автор | A Pérez |
| Автор | J R Morante |
| Дата выпуска | 1987-05-01 |
| dc.description | This work is devoted to show that in the case of small concentration of deep traps in relation with that of the shallow levels, the non-exponentiality of the capture transient, obtained from the capacitance measurements, could be justified, in some cases, by assuming the existence of a hopping process between the deep trap and another shallower level. |
| Формат | application.pdf |
| Издатель | Institute of Physics Publishing |
| Название | Hopping Process in Majority Carrier Capture of Deep Centers in Semiconductors |
| Тип | paper |
| DOI | 10.1088/0031-8949/35/5/021 |
| Electronic ISSN | 1402-4896 |
| Print ISSN | 0031-8949 |
| Журнал | Physica Scripta |
| Том | 35 |
| Первая страница | 717 |
| Последняя страница | 720 |
| Аффилиация | J M López-Villegas; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain |
| Аффилиация | J Esteve; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain |
| Аффилиация | H Altelarrea; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain |
| Аффилиация | P Roura; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain |
| Аффилиация | A Pérez; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain |
| Аффилиация | J R Morante; Càtedra d'Electrònica, Facultat de Física, Diagonal 645, Universitat de Barcelona, Barcelona 08028, Spain |
| Выпуск | 5 |
