| Автор | Wood, D. |
| Автор | Shaw, D. |
| Автор | Bryant, F. J. |
| Дата выпуска | 1987 |
| dc.description | AbstractA comparison has been made between the furnace annealing (FA) and the CW lasing annealing (CWLA) of Yb+ ion implants in CdTe. An implant dose of 3 × 1015 Yb+ ions cm-2 at an ion energy of 50 keV was used. Cathodoluminescence was used to monitor the annealing effects. The threshold for laser surface damage was found to be 11.8 kW m-1 and successful CWLA was achieved in an air ambient below this threshold. Referred to the Yb3+ emission the optimum FA and CWLA intensities were comparable. Evidence is provided in support of the earlier work of Uzan et al.8 which showed the laser enhanced sublimation of CdTe. |
| Формат | application.pdf |
| Издатель | Taylor & Francis Group |
| Копирайт | Copyright Taylor and Francis Group, LLC |
| Название | A comparison of furnace annealing and CW laser annealing of Yb<sup>+</sup> implants in CdTe |
| Тип | research-article |
| DOI | 10.1080/00337578708222907 |
| Print ISSN | 0033-7579 |
| Журнал | Radiation Effects |
| Том | 102 |
| Первая страница | 69 |
| Последняя страница | 82 |
| Аффилиация | Wood, D.; Physics Department, The University; Advanced Integrated Devices, STC Technology Ltd. |
| Аффилиация | Shaw, D.; Physics Department, The University |
| Аффилиация | Bryant, F. J.; Physics Department, The University |
| Выпуск | 1-4 |
| Библиографическая ссылка | Cullis, A. G. 1985. Rep. Prog. Phys., 48: 1155 |
| Библиографическая ссылка | Willardson, R. K. and Beer, A. C. 1984. CW Beam Processing of Si and Other Semiconductors, Semiconductors and Semimetals, Vol. 17, Orlando: Academic Press Inc. |
| Библиографическая ссылка | An, C., Tews, J. and Cohen-Solal, G. 1982. J. Crystal Growth, 59: 289 |
| Библиографическая ссылка | Norris, C. B., Westmark, C. I., Entine, G., Lis, S. A. and Serreze, H. B. 1981. Rod. Effects Lett., 58: 115 |
| Библиографическая ссылка | Norris, C. B. and Peercy, P. S. 1983. Rad. Effects, 69: 267 |
| Библиографическая ссылка | Blamires, N. G. and Totterdell, D. H. J. 1983. J. Phys. D., 16: 2361 |
| Библиографическая ссылка | As, D. J. and Palmetsofer, L. 1985. J. Cryst. Growth, 72: 246 |
| Библиографическая ссылка | Uzan, C., Legros, R., Marfaing, Y. and Triboulet, R. 1984. AppL Phys. Lett., 45: 879 |
| Библиографическая ссылка | Uzan, C., Legros, R. and Marfaing, Y. 1985. J. Cryst. Growth, 72: 252 |
| Библиографическая ссылка | Yang, C. B., Lue, J. T., Hwang, M. L. and Peng, M. L. 1985. IEEE Trans., ED, 32: 2297 |
| Библиографическая ссылка | James, K. M., Merz, J. L. and Jones, C. E. 1985. AppL Phys. Lett., 46: 424 |
| Библиографическая ссылка | Bryant, F. J. 1982. Rad. Effects, 65: 81 |
| Библиографическая ссылка | Bryant, F. J. and Nahum, J. 1977. Rad Effects, 31: 107 |
| Библиографическая ссылка | Lindhard, J., Scharff, M. and Schiott, H. E. 1963. Mat. Fys. Medd. Kgl. Danske Vindenskab Selskab, 33: 14 |
| Библиографическая ссылка | Gat, A. 1978. 37Stanford: University. Ph.D. Thesis |
| Библиографическая ссылка | Gibbons, J. F. 33 in Ref. 2 |
| Библиографическая ссылка | Gibbons, J. F. Ref. 2, Ch 1 |
| Библиографическая ссылка | Nissim, Y. I., Lietoila, A., Gold, R. B. and Gibbons, J. F. 1980. J. Appl. Phys., 51: 274 |
| Библиографическая ссылка | Maruani, A., Nissim, Y. I., Bonnouvrier, F. and Paquet, D. 1983. J. de Phys., Colloque, C5: 44, 87 |
| Библиографическая ссылка | Lietoila, A., Gold, R. B., Gibbons, J. F. and Christel, L. A. n Ref. 2, Ch. 2. |
| Библиографическая ссылка | Liarokapisand, E. 1985. J.Appl.Phys., 57: 5123 |
| Библиографическая ссылка | Bell, R. O., Toulemonde, M. and Siffert, P. 1979. Appl. Phys., 19: 313 |
| Библиографическая ссылка | Zanio, K. and Beer, A. C. 1978. Semiconductors and Semimetah, Vol. 13, Orlando, , USA: Academic Press Inc.. |
| Библиографическая ссылка | Cardonaand, M. 1963. J. Appl. Phys., 34: 813 |
| Библиографическая ссылка | Slack, G. A. and Galginaitis, S. 1964. Phys. Rev., 133: A252 |
| Библиографическая ссылка | Jouglar, J., Hetroit, C., Vuillermoz, P. L. and Triboulet, R. 1980. J. Appl. Phys., 51: 3171 |
| Библиографическая ссылка | Scott, C. G., Reed, C. E. and Reed, C. E. 1975. Surface Physics of Phosphors and Semiconductors, 460London: Academic Press Inc.. |
| Библиографическая ссылка | Lastras-Martinez, A., Lee, U., Zehnder, J. and Raccah, P. M. 1982. J. Vac. Sci. Technol., 21: 157 |
| Библиографическая ссылка | Pautrat, J. L., Magnea, N. and Faurie, J. P. 1982. J. Appl. Phys., 53: 8668 |
