| Автор | Howitt, D. G. |
| Автор | Chan, H. W. |
| Автор | Vance, E. R. |
| Автор | Denatale, J. F. |
| Автор | Hood, P. J. |
| Автор | Thompson, D. A. |
| Дата выпуска | 1990 |
| dc.description | AbstractThe effects of in-situ electron and ion bombardment in quartz are compared. Both types of irradiation readily induce the metamict transformation and, furthermore, do so in linear proportion over the entire range of their combination. The results suggest that the creation of oxygen vacancies is responsible for the metamict transformation in both cases. |
| Формат | application.pdf |
| Издатель | Taylor & Francis Group |
| Копирайт | Copyright Taylor and Francis Group, LLC |
| Тема | radiation damage |
| Тема | metamict transformation in quartz |
| Тема | ion damage |
| Тема | electron damage |
| Название | A comparison between electron and ion damage in quartz |
| Тип | research-article |
| DOI | 10.1080/10420159008213028 |
| Electronic ISSN | 1029-4953 |
| Print ISSN | 1042-0150 |
| Журнал | Radiation Effects and Defects in Solids |
| Том | 112 |
| Первая страница | 39 |
| Последняя страница | 45 |
| Аффилиация | Howitt, D. G.; Department of Mechanical Engineering, University of California |
| Аффилиация | Chan, H. W.; Department of Mechanical Engineering, University of California |
| Аффилиация | Vance, E. R.; Atomic Energy of Canada Ltd., Research Company, Whiteshell Nuclear Research Establishment |
| Аффилиация | Denatale, J. F.; Rockwell Science Center |
| Аффилиация | Hood, P. J.; Rockwell Science Center |
| Аффилиация | Thompson, D. A.; Department of Engineering Physics, McMaster University |
| Выпуск | 3 |
| Библиографическая ссылка | Fischer, H., Gotz, G. and Karge, H. 1983. Phys. Stat. Solidi (a), 76: 249 |
| Библиографическая ссылка | Fischer, H., Gotz, G. and Karge, H. 1983. Phys. Stat. Solidi (a), 76: 493 |
| Библиографическая ссылка | Wittels, M. and Sherill, F. A. 1954. Phys. Rev., 93(5): 1117 |
| Библиографическая ссылка | Das, G. and Mitchell, T. E. 1974. Rad. Effects, 23: 49 |
| Библиографическая ссылка | Pascucci, M. R. and Hobbs, L. W. 1980. J. de Phys., 41: C6–227. |
| Библиографическая ссылка | Howitt, D. G. and De Natale, J. F. 1983. Radiat. Phys. Chem., 21(5): 445 |
| Библиографическая ссылка | Primak, W. 1972. Phys. Rev., B6: 4846 |
| Библиографическая ссылка | Eernisse, E. P. 1974. J. Appl. Phys., 45: 167 |
| Библиографическая ссылка | Cooper, A. R. 1978. Phys. Chem. Glasses, 19: 60 |
| Библиографическая ссылка | Griscom, D. L. 1979. Proc. 33rd Frequency Control Symposium 98Washington, D.C.: Electronic Industries Assn.. |
| Библиографическая ссылка | Pascucci, M. R., Hutchinson, J. L. and Hobbs, L. W. 1983. Rad. Effects, 74: 219 |
| Библиографическая ссылка | Gibbons, J. F., Johnson, W. S. and Mylroie, S. W. 1975. Projected Range Statistics, , 2nd Edn., Pennsylvania: Halsted Press. |
| Библиографическая ссылка | Smith, B. 1977. Ion Implantation Range Data for Silicon and Germanium Device Technologies, Oxford: Learned Inform.. |
| Библиографическая ссылка | Ziegler, J. F. 1977. App. Phys. Letters, 31: 544 |
| Библиографическая ссылка | Kinchen, G. H. and Pease, R. S. 1955. Reports Prog. in Phys., 18: 18 |
| Библиографическая ссылка | Audourd, A., Balogh, J., Duval, J. and Jousset, J. C. 1982. Rad. Effects, 62: 161 |
