| Автор | Benchouk, K. |
| Автор | Benseddik, E. |
| Автор | El Moctar, C. O. |
| Автор | Bernède, J. C. |
| Автор | Marsillac, S. |
| Автор | Pouzet, J. |
| Автор | Khellil, A. |
| Дата выпуска | 2000 |
| dc.description | After deposition, by evaporation under vacuum, of Al/Cu/Te. multilayer structures, annealing at 673 K or more for half an hour, under argon flow, allows CuAlTe<sub>2</sub> films crystallised in the chalcopyrite structure to be obtained. The optical and electrical properties are interpreted by introducing the influence of impurity foreign phases present in the films. The optical properties are sensitive to the small Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> domains randomly distributed into the CuAlTe<sub>2</sub> polycrystalline matrix. The optical band gap is slightly increased (2.35 eV) by the presence of alumina. The conductivity measurements show that a short circuit effect can be induced by a binary Cu$_{2-x}$Te degenerate phase present at the surface of the films. This effect can be suppressed by KCN etching of the samples that allows the superficial foreign phase to be dissolved. |
| Формат | application.pdf |
| Издатель | EDP Sciences |
| Копирайт | © EDP Sciences, 2000 |
| Название | New buffer layers, large band gap ternary compounds: CuAlTe<sub>2</sub> |
| Тип | research-article |
| DOI | 10.1051/epjap:2000114 |
| Electronic ISSN | 1286-0050 |
| Print ISSN | 1286-0042 |
| Журнал | The European Physical Journal Applied Physics |
| Том | 10 |
| Первая страница | 9 |
| Последняя страница | 14 |
| Аффилиация | Benchouk K.; Université d'Oran, Laboratoire de Physique des Matériaux et Composants pour l'Électronique, B.P. 1524, El Mnaouer Oran, Algeria |
| Аффилиация | Benseddik E.; Université de Cadi Ayyad, Faculté des Sciences et Technique, B.P. 618, Guéliz, Marrakech, Morocco |
| Аффилиация | El Moctar C. O.; Université de Nantes, Équipe de Physique des Solides pour l'Électronique, Groupe couche minces et Matériaux nouveaux, FSTN, 2 rue de la Houssinière, B.P. 92208, 44322 Nantes Cedex 03, France |
| Аффилиация | Bernède J. C.; Université de Nantes, Équipe de Physique des Solides pour l'Électronique, Groupe couche minces et Matériaux nouveaux, FSTN, 2 rue de la Houssinière, B.P. 92208, 44322 Nantes Cedex 03, France |
| Аффилиация | Marsillac S.; Université de Nantes, Équipe de Physique des Solides pour l'Électronique, Groupe couche minces et Matériaux nouveaux, FSTN, 2 rue de la Houssinière, B.P. 92208, 44322 Nantes Cedex 03, France |
| Аффилиация | Pouzet J.; Université de Nantes, Équipe de Physique des Solides pour l'Électronique, Groupe couche minces et Matériaux nouveaux, FSTN, 2 rue de la Houssinière, B.P. 92208, 44322 Nantes Cedex 03, France |
| Аффилиация | Khellil A.; Université d'Oran, Laboratoire de Physique des Matériaux et Composants pour l'Électronique, B.P. 1524, El Mnaouer Oran, Algeria |
| Выпуск | 1 |
