Автор |
Wolf, D. |
Дата выпуска |
1971 |
dc.description |
AbstractP-type germanium has been irradiated at 77 °K by monoenergetic 14 MeV-neutrons, and the change of resistivity and Hallcoefficient has been measured. Subsequently isochronal annealing experiments have been performed. The results can be explained by the assumption that by energetic neutrons disordered regions are created, which decay by annealing between 77 °K and 230 °K, probably forming well-conducting zones. This decay is superposed by the annealing behaviour of a type of defect, which is observed as well after electron irradiation. |
Формат |
application.pdf |
Издатель |
Taylor & Francis Group |
Копирайт |
Copyright Taylor and Francis Group, LLC |
Название |
14 MeV-neutron irradiation of P-type germanium at 77 °K |
Тип |
research-article |
DOI |
10.1080/00337577108231039 |
Print ISSN |
0033-7579 |
Журнал |
Radiation Effects |
Том |
8 |
Первая страница |
263 |
Последняя страница |
267 |
Аффилиация |
Wolf, D.; Institut für Reine und Angewandte Kernphysik der Universität, Kiel |
Выпуск |
3-4 |
Библиографическая ссылка |
Crawford, J. H. and Cleland, J. W. 1959. J. Appl. Phys., 30: 1204 |
Библиографическая ссылка |
Gossick, B. R. 1959. J. Appl. Phys., 30: 1214 |
Библиографическая ссылка |
Bertolotti, M. 1968. Radiation Effects in Semiconductors Edited by: Vook, F. L. 311New York |
Библиографическая ссылка |
Konopleva, R. F. and Novikov, S. R. 1964. Soviet Physics- Solid State, 6: 819 |
Библиографическая ссылка |
Cleland, J. W., Crawford, J. H. and Pigg, J. C. 1955. Phys. Rev., 99: 1170 |
Библиографическая ссылка |
Kortright, J. 1963. Ph.D. thesis Purdue University. |
Библиографическая ссылка |
Callcott, T. A. and MacKay, J. W. 1967. Phys. Rev., 161: 698 unpublished |
Библиографическая ссылка |
Persin, M. 1965. Period. Math.–Phys. Astron. (Yugoslavia), 20: 277 |
Библиографическая ссылка |
Lautz, G. and Wolf, D. 1966. Atomkernenergie, 11: 457 |
Библиографическая ссылка |
Saito, H., Fukuoka, N., Hattori, H. and Crawford, J. H. Radiation Effects in Semiconductors 232 |
Библиографическая ссылка |
Flanagan, T. M. and Klontz, E. E. 1968. Phys. Rev., 167: 789 |
Библиографическая ссылка |
Stas, V. F. and Smirnov, L. S. 1969. Sov. Ph.–Semicond., 2: 1147 |
Библиографическая ссылка |
Curtis, O. L. and Cleland, J. W. 1960. J. Appl. Phys., 31: 423 |
Библиографическая ссылка |
Juretschke, H. J., Landauer, R. and Swanson, J. A. 1956. J. Appl. Phys., 27: 838 |
Библиографическая ссылка |
Stein, H. J. 1968. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-15(6): 69 |
Библиографическая ссылка |
Gregory, B. L. 1970. Appl. Phys. Letters, 16: 67 |