| Автор | Verner, I. V. |
| Автор | Tsukanov, V. V. |
| Дата выпуска | 1989 |
| dc.description | AbstractA possible atomic mechanism of amorphization-crystallization processes in irradiated diamond-type semiconductors is proposed in the present work. This mechanism is based on the concept of a phase transition into a new state with participation of point defects and can be considered as a basis for the kinetic description of amorphization-crystallization processes in semiconductors during irradiation. |
| Формат | application.pdf |
| Издатель | Taylor & Francis Group |
| Копирайт | Copyright Taylor and Francis Group, LLC |
| Название | A mechanism of amorphization-crystallization processes in irradiated semiconductors |
| Тип | research-article |
| DOI | 10.1080/10420158908213020 |
| Electronic ISSN | 1029-4953 |
| Print ISSN | 1042-0150 |
| Журнал | Radiation Effects and Defects in Solids |
| Том | 111-112 |
| Первая страница | 461 |
| Последняя страница | 466 |
| Аффилиация | Verner, I. V.; Moscow Institute of Electronic Technology |
| Аффилиация | Tsukanov, V. V.; Moscow Institute of Electronic Technology |
| Выпуск | 1-2 |
| Библиографическая ссылка | Smirnov, L. S. 1980. Radiation Technology of Semiconductors, Novosibirsk: Nauka. (in Russian) |
| Библиографическая ссылка | Vavilov, V. S. 1985. Sov. Phys. Usp., 28: 196 |
| Библиографическая ссылка | Elliman, R. G., Johnson, S. T., Pogany, A. P. and Williams, J. S. 1985. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res., B7/8: 310 |
| Библиографическая ссылка | Bender, H. and Vanhellemont, J. 1988. Phys. Stat. Sol. (a), 107: 455 |
| Библиографическая ссылка | Gerasimenko, N. N. and Majirin, A. P. 1984. C-V Method for Investigation of Amorphous State in Silicon, Novosibirsk: Inst. Phys. of Semiconductors, Academy of Sci. USSR. (in Russian) |
| Библиографическая ссылка | Brodsky, M. H., ed. 1985. Amorphous Semiconductors, Berlin: Springer-Verlag. |
| Библиографическая ссылка | Adler, D. and Fritzsche, H., eds. 1985. Tetrahedrally-Bond Amorphous Semiconductors, London: Plenum Press. |
| Библиографическая ссылка | Phillips, W. A., ed. 1981. Amorphous Solids: Low Temperature Properties, Berlin: Springer-Verlag. |
| Библиографическая ссылка | Shaw, D., ed. 1973. Atomic Diffusion in Semiconductors, London: Plenum Press. |
| Библиографическая ссылка | Williams, J. S. 1983. Surface Modification and Alloying, Edited by: Poate, J. M. and Foti, G. New York: Plenum. |
| Библиографическая ссылка | Csepregi, L., Kennedy, E. F., Mayer, J. W. and Sigmon, J. W. 1978. J. Appl. Phys., 49: 3906 |
| Библиографическая ссылка | Olson, G. L. 1985. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 35: 25 |
| Библиографическая ссылка | Elliman, R. G., Jacobson, D. C., Linnros, J. and Poate, J. M. 1987. Appl. Phys. Lett., 51: 314 |
