Мобильная версия

Доступно журналов:

3 288

Доступно статей:

3 891 637

 

Скрыть метаданые

Автор Milhet, X.
Автор Demenet, J.-L.
Автор Rabier, J.
Дата выпуска 1998
dc.description From observations of extended dislocation nodes in β silicon nitride, possible stacking fault structures in the basal plane of this compound have been investigated. It has been found that stacking fault structure is locally analogous to α silicon nitride. A phase transformation α to β or β to α can also be achieved by cooperative shear of partial dislocations with $1/3\langle1\bar{1}00\rangle$ Burgers vectors.
Формат application.pdf
Издатель EDP Sciences
Копирайт © EDP Sciences, 1998
Название Stacking faults and phase transformations in silicon nitride
Тип research-article
DOI 10.1051/epjap:1998254
Electronic ISSN 1286-0050
Print ISSN 1286-0042
Журнал The European Physical Journal Applied Physics
Том 4
Первая страница 149
Последняя страница 156
Аффилиация Milhet X.; Laboratoire de Métallurgie Physique (UMR 6630 CNRS), Université de Poitiers, UFR Sciences, SP2MI, Boulevard 3, Téléport 2, 86960 Futuroscope Cedex, France
Аффилиация Demenet J.-L.; Laboratoire de Métallurgie Physique (UMR 6630 CNRS), Université de Poitiers, UFR Sciences, SP2MI, Boulevard 3, Téléport 2, 86960 Futuroscope Cedex, France
Аффилиация Rabier J.; Laboratoire de Métallurgie Physique (UMR 6630 CNRS), Université de Poitiers, UFR Sciences, SP2MI, Boulevard 3, Téléport 2, 86960 Futuroscope Cedex, France
Выпуск 2

Скрыть метаданые